东芝出样 1200V 沟槽栅碳欧交易所官网化硅 MOSFET，主要面向下一代 AI 数据中心电源系统

IT之家 5 月 25 日消息，东芝电源东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的出样槽栅测试样品，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），沟硅欧交易所官网同时也适用于可再生能源相关设备。碳化

TW007D120E 采用东芝专有的主中心沟槽栅结构，单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58%，下代系统达到业界领先水平；同时其品质因数较现有产品提高了约 52%。数据

这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，东芝电源从而提升整体系统效率。出样槽栅欧交易所官网这有助于提高功率密度并增强功率级的沟硅散热性能，对下一代 AI 数据中心的碳化功率转换至关重要。

东芝计划在 2026 财年实现 "TW007D120E" 的主中心量产，并将继续拓展其产品线，下代系统如开发面向汽车应用的数据产品。

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