英特尔推出全球欧交易所app最薄氮化镓（GaN）芯粒

4 月 9 日，英特英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，尔推成功研发出全球最薄氮化镓芯粒。出全欧交易所app其硅衬底厚度仅19 微米，球最约为人类头发丝直径的薄氮 1/5。

该芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化镓晶圆制造，化镓采用英特尔自研隐切减薄工艺，英特在实现极致超薄形态的尔推同时，保持结构完整性与性能稳定性。出全欧交易所app

更具突破性的球最是，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的薄氮单片集成。通过将复杂计算功能直接嵌入电源芯粒，化镓无需额外辅助芯片，英特大幅简化系统架构并降低组件间能量损耗。尔推

性能测试结果显示：

• 氮化镓晶体管耐压达 78V，出全射频截止频率超 300GHz，可满足高频通信应用需求；

• 集成数字逻辑库运行稳定，反相器开关速度快至33 皮秒，全晶圆性能一致性优异，具备大规模量产潜力；

• 该技术已通过四项行业标准可靠性测试，可在高温、高压环境下稳定工作，满足商用部署要求。

传统硅基技术在高功率、高频场景下已逼近物理极限，而氮化镓作为宽禁带半导体，具备更高功率密度、更快开关速度、更低能耗等优势。

英特尔依托 300 毫米硅基氮化镓晶圆工艺，方案可兼容现有半导体制造基础设施，有望显著降低生产成本、加速大规模普及。

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